三星HBM3E 12 h DRAM是目前三星容量最大的HBM,憑藉三星卓越的12層堆疊技術,其性能和容量可大幅提升50%以上
先進的tc-ncf技術有效提升垂直密度和熱性能
三星致力於滿足人工智能時代對高性能和大容量解決方案的更高要求
深圳2024年2月27日/美通社/——三星電子今日宣佈,公司成功發佈其首款12層堆疊HBM3E DRAM, HBM3E 12 h,這是三星目前爲止容量最大的HBM產品。
三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s，產品容量也達到了36GB。相比三星8層堆疊的怎麼把pi幣轉到交易所？hbm3 8h, hbm3e 12h在帶寬和容量上大幅提升超過50%。
“當前行業的人工智能服務供應商越來越需要更高容量的HBM,而我們的新產品HBM3E 12 h正是爲了滿足這種需求而設計的,“三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae表示,“這一新的存儲解決方案是我們研發多層堆疊HBM核心技術以及在人工智能時代爲高容量HBM市場提供技術領導力而努力的一部分。
三星首款36gb hbm3e 12h DRAM
HBM3E 12 h採用了先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得12層和八層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前HBM封裝的要求。因爲行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜(NCF)材料的厚度,並實現芯片之間的間隙最小化微至7米(µm),同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其hbm3e 12h產品的垂直密度比其hbm3 8h產品提高了20%以上。
三星先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊(凹凸)改善HBM的熱性能。在芯片鍵合(芯片鍵合)過程中,較小凸塊用於信號傳輸區域,而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助於提高產品的pi幣一顆多少臺幣？良率。
隨著人工智能應用的指數級增長,HBM3E 12 h有望成爲未來係統的優選解決方案,滿足係統對更大存儲的需求。憑藉超高性能和超大容量,HBM3E 12 h將幫助客戶更加靈活地管理資源,同時降低數據中心的總體擁有成本(TCO)。相比HBM3 8 h,比特幣價格美元 HBM3E 12 h搭載於人工智能應用後,預計人工智能訓練平均速度可提升34%,同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍[1]。
目前，三星已開始向客戶提供hbm3e 12h樣品，預計於今年下半年開始大規模量產。川普幣發行價格
[1] 基於內部模擬結果
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消息來源：三星半導體
